2024年10月99年凯泽斯劳滕夺冠那个赛季的各轮战绩是怎么样的？光电探测器

　　⑴年凯泽斯劳滕夺冠那个赛季的各轮战绩是怎么样的？光电探测器

　　⑵年凯泽斯劳滕夺冠那个赛季的各轮战绩是怎么样的

　　⑶需要指出的是，凯泽斯劳滕是在-赛季创造“凯泽斯劳滕神话”，夺得德甲冠军的，而不是年。具体战绩：第轮拜仁慕尼黑-凯泽斯劳滕(Schj?nberg)第轮凯泽斯劳滕-柏林赫塔(Marschall)第轮科隆-凯泽斯劳滕第轮凯泽斯劳滕-沙尔克(Marschall,,Sforza)第轮波鸿-凯泽斯劳滕(Stickrothp-Kuka,,Marschall)第轮凯泽斯劳滕-斯图加特(Marschall,,,Ratinho-Bobic,Akpoborie,Raducioiu)第轮卡尔斯鲁厄-凯泽斯劳滕(H??ler,Keller-Ratinho,Wagnerp,Kuka,Reich)第轮凯泽斯劳滕-云达不来梅(Marschall-Labbadia,Flo,Frey)第轮慕尼黑-凯泽斯劳滕(Winkler-Marschall,,Sforza)第轮凯泽斯劳滕-比勒菲尔德(Rische,,Kuntz-Kadlec)第轮勒沃库森-凯泽斯劳滕(Happe-Rische)第轮凯泽斯劳滕-杜伊斯堡(Marschall)第轮多特蒙德-凯泽斯劳滕(Freund,Heinrich-Marschall,)第轮凯泽斯劳滕-罗斯托克(Sforza,Rische,,Schj?nberg-Barbarez,Dowe,Neuville,)第轮门兴-凯泽斯劳滕(Andersson-Buck,Kuka,Rische)第轮沃尔夫斯堡-凯泽斯劳滕(M.Spies,Kellerp-Wagner)第轮凯泽斯劳滕-汉堡(Ratinho,Hristov-Salihamidzic)第轮凯泽斯劳滕-拜仁慕尼黑(Hamanno,Hristov)第轮柏林赫塔-凯泽斯劳滕(Karl,Preetz)第轮凯泽斯劳滕-.科隆(Hristov,Riedl,Schj?nberg-Munteanu,Polster)第轮沙尔克-凯泽斯劳滕(vanHoogdalem-Hristov)第轮凯泽斯劳滕-波鸿(Wagner,Rische,)第轮斯图加特-凯泽斯劳滕(Hristov)第轮凯泽斯劳滕-卡尔斯鲁厄第轮云达不来梅-凯泽斯劳滕(Pfeifenberger-Schj?nbergp)第轮凯泽斯劳滕-慕尼黑(Ratinho)第轮比勒菲尔德-凯泽斯劳滕(Daei,-Marschall,Rische)第轮凯泽斯劳滕-勒沃库森(Beinlich,Rink,Kirsten)第轮杜伊斯堡-凯泽斯劳滕(Hajto-Marschall)第轮凯泽斯劳滕-多特蒙德(Kuka-Freund)第轮罗斯托克-凯泽斯劳滕(Barbarez,Dowe-Rische,Gansaugeo)第轮凯泽斯劳滕-门兴(Marschall,,-Hausweiler,Pettersson)第轮凯泽斯劳滕-沃尔夫斯堡(Marschall,,Wagner,Rische)第轮汉堡-凯泽斯劳滕(Dembinski,p)最终，凯泽斯劳滕以战胜平负，积分的成绩夺得冠军，进球失球，领先第二名拜仁慕尼黑分。要知道凯泽斯劳滕本赛季是刚刚从乙级联赛里升级的！这就是凯泽斯劳滕神话。

　　⑷PIN紫外光电探测器的研制黄瑾,洪灵愿,刘宝林,张保平(厦门大学物理系,福建厦门)摘要:用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为.V,反向击穿电压大于V;室温-V偏压下,暗电流为pA,nm处峰值响应度为.A/W,量子效率为%。关键词:AlInGaN/GaN;PIN光电探测器;紫外光电探测器中图分类号:TN文献标识码:A文章编号:-()--DevelopmentonAlInGaN/GaNPINUltravioletPhotodetectorsHUANGJin,HONGLingyuan,LIUBaolin,ZHANGBaoping(Dept.ofPhysics,XiamenUniversity,Xiamen,CHN)Abstract:UsingAlInGaNinsteadofAlGaNasthesourcefilmofaphotodetectors,anAlInGaNbasedPINUVphotodetectorwasdeveloped.Itsdevicestructureandfabricationprocessingareintroducedindetail.Measurementresultsshowthatitsturnonvoltageisabout.V,andVBR》V;under-Vbiasvoltageatroomtemperature,thedarkcurrentisaboutpA;thepeakresponsivitycanreach.A/Watnm,andthequantumefficiencyis%.Keywords:AlInGaN/GaN;PINphotodetector;ultravioletphotodetector引言GaN基三元合金AlxGa-xN材料是波长范围连续的直接带隙半导体,随材料Al组分的变化其带隙在.～.V连续变化,带隙变化对应波长范围为～nm,覆盖了地球上大气臭氧层吸收光谱区(～nm),是制作太阳盲区紫外光探测器的理想材料。AlGaN基宽禁带半导体探测器作为新一代紫外探测器,在军事和民用上都有重要的应用,受到国内外的广泛重视。目前,AlGaN/GaN材料和器件结构仍存在诸多有待解决的问题:()作为有源区的AlGaN与作为衬底的GaN材料之间晶格失配,导致外延层位错密度较高和紫外探测器的暗电流较大;()p型掺杂Mg的激活能很大,其激活率很低,p型AlGaN材料带隙宽、功函数高,空穴浓度低,从而难于获得良好的金属与p型半导体接触(欧姆接触);()结构的优化设计,例如减少表面光反射率,优化有源层厚度,提高器件的量子效率,从而提高其光响应度等。针对这些困难,我们提出了以下几个改进措施:()用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的i层;()在p型AlInGaN材料上再生长一层p型GaN材料,用于提高与金属接触层的半导体的空穴浓度,有利于形成良好的欧姆接触;()采用Ni/Au双层作为p电极,形成了良好的金属与半导体欧姆接触。本文通过对AlInGaN/GaNPIN紫外光电探测器的研究,详细介绍了其结构设计和制作工艺,以及其器件的测试结果。··《半导体光电》年月第卷第期黄瑾等:AlInGaN/GaNPIN紫外光电探测器的研制问题分析和解决方案目前,紫外光电探测器一般采用AlGaN/GaN结构。随着AlGaN中的Al组分增加及响应波长的减小,AlGaN和GaN之间的晶格失配变大,应力增大,大大限制了AlGaN/GaN结构的器件性能,特别是其暗电流和响应度。但是,AlInGaN四元合金的禁带宽度Eg和晶格常数却可以独立变化,使我们有可能调整禁带宽度到所需要的数值,同时保持较低的位错密度,从而降低暗电流。图中的虚线代表了晶格常数与GaN一致的AlInGaN的禁带宽度的变化范围,如果用AlInGaN四元合金做有源区,就可以解决晶格失配所带来的问题。四元合金AlxInyGazN晶格常数a随组分的变化关系可表示为aAlxInyGazN=xaAlN+yaInN+zaGaN()式中,x+y+z=。AlxInyGazN带隙随组分的变化关系可表示为Q(x,y,z)=xyT-x+y+yzT-y+z+xzT-x+z/(xy+yz+xz)()式中,Tij(α)=αBj+(-α)Bi+bijα(-α),i,j=,,分别代表AlN,InN,GaN,B代表二元合金的禁带宽度,b代表三元合金的弯曲系数,b=-;b=-.;b=-。图纤锌矿结构的GaN基材料的禁带宽度与晶格常数的关系如果aAlxInyGazN=aGaN,即AlInGaN与GaN晶格匹配。把表的各项参数带入式(),得到x∶y=.∶。那么,与GaN晶格匹配的AlInGaN的禁带宽度范围从.eV(GaN)到.eV(Al.In.N),相应的波长从nm(GaN)到nm(Al.In.N)。这一波段正好处于日盲区域,是紫外光探测器的理想探测波段。表纤锌矿结构的GaN基材料的禁带宽度和晶格常数参数GaNAlNInNa/nm...c/nm...Eg/eV...实验结果及分析.样品结构生长及材料性能本研究使用中国科学院半导体所用MOCVD系统生长的AlInGaN材料。样品A是我们研制PIN型紫外光电探测器的总体结构。先在AlO衬底上生长GaN缓冲层,再生长μm掺Si的nGaN,然后是.μm的未掺杂的iAlInGaN,再生长.μm的掺Mg的pAlInGaN,最后生长.μm的掺Mg的pGaN作为欧姆接触层。为了研究中间的未掺杂的AlInGaN层和p型AlInGaN层的性质,我们又分别生长了样品B和样品C。样品B是先在AlO衬底上生长GaN缓冲层,再生长μm掺Si的nGaN,最后生长.μm未掺杂的iAlInGaN。样品C是先在AlO衬底上生长GaN缓冲层,再生长μm掺Si的nGaN,最后生长.μm掺Mg的pAlInGaN。分别对样品B,C做了X光三晶衍射实验。图(a)、(b)分别是样品B和C的X光三晶衍射谱。图(a)中的.°的峰是GaN()峰,.°的峰是AlInGaN()峰。图(b)中的.°的峰是GaN()峰,.°的峰是AlInGaN()峰。由此,计算出样品B和C的晶格常数列于表中。从计算结果可以看出样品B和样品C中AlInGaN与GaN晶格常数基本匹配。(a)样品B··SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSVol.No.Oct.(b)样品C图样品的X光三晶衍射谱表样品B和C的晶格常数样品cGaN/nmcAlInGaN/nmΔGaN/%B...C...为了分析AlInGaN材料的组分,对样品进行PL谱测量。对比图(a)、(b)、(c)得出,在图(c)中,.nm的发光峰为pAlInGaN的带边发射;nm的发光峰为GaN的带边发射;iAlInGaN的发光峰基本与GaN的发光峰重合。计算得出pAlInGaN的禁带宽度Eg=.eV。(c)样品A图样品的室温(K)PL谱根据上面分析可知,与GaN晶格匹配的AlxInyGazN材料中,Al组分与In组分的比值为.∶,所以我们可以确定pAlInGaN材料的组分为Al.In.Ga.N。.器件工艺本文按常规工艺制备了如图所示结构的PIN光电探测器。它包括nGaN底层,iAlInGaN光吸收层,pAlInGaN过渡层,pGaN欧姆接触层。SiO作为器件的保护层和抗反射膜,用Ti/Al/Ni/Au作n电极,用Ni/Au作p电极。图AlInGaN/GaNPIN结构示意图试验中对p型欧姆接触进行了工艺优化,材料为Kp型样品。合金温度优化表明℃下所获得的接触性能最好,比接触电阻为.×-Ω·cm。随后分别在K(pGaN)样品和K(pAlInGaN)样品上制备了电极,结果p型AlInGaN的IV特性很差,电阻率很大,难以形成欧姆接触。相比之下,p型GaN的IV特性就好得多,而且形成了欧姆接触。所以我们在p型AlInGaN层上面生长了一层pGaN,用pGaN来做欧姆接触层,降低了电阻率。··《半导体光电》年月第卷第期黄瑾等:AlInGaN/GaNPIN紫外光电探测器的研制器件性能测试与分析图(a)为AlInGaNPIN型紫外探测器在正向偏压下的IV特性曲线,其正向开启电压约为.V。图(b)为器件在反向偏压下的IV特性曲线,器件的反向击穿电压约为V,表现出较好的硬击穿。由上述可见器件的IV特性良好。图器件的IV特性曲线将测试的数据进行处理,得到暗电流和反向偏压关系曲线如图。从图可以看出,暗电流随反相偏压增大而增大。在未加偏压时,暗电流在-A的数量级,在-V偏压下,暗电流仍然比较小,仅为.×-A。图是在-V偏压下测试得到的响应光谱。光谱响应范围在～nm,实现了紫外探测。AlInGaN的禁带宽Eg=.eV,由公式hν≥Eg,λν=C,可算出λ≤.nm。器件对波长大于nm的入射光响应很小,相对峰值响应接近于零;小于nm的入射光因为波长短,光吸收系数很大,被表面复合,无法在外电路中形成光电流。但从图看出,光谱响应的范围较窄,主要原因有:()pAlInGaN层的Al组分小,没能形成窗口层;()pAlInGaN层太厚,在光达到i层前,大部分的光被pAlInGaN层吸收了。样品在nm-V偏压下峰响应为.A/W,量子效率达到%,性能优于T.NOder等人报道的最大响应度.A/的In.Al.Ga.N紫外光电探测器。最大响应度没有出现在“太阳盲区”～nm范围内,主要是因为i层的AlInGaN材料的Al组分太小,使得iAlInGaN的禁带宽度与GaN的禁带宽度接近。结论采用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的有源层,成功研制出PIN紫外光电探测器。通过PL谱测量和X射线衍射实验,计算出生长的pAlInGaN材料的组分为Al.In.Ga.N,与GaN材料的晶格失配率仅为.%。(下转第页)··SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSVol.No.Oct.品温度和环境温度慢慢趋于一致,即趋于热平衡时,电阻变化缓慢且阻值降低较小。图样品B在空气中和真空中的电阻测量结果结论采用PECVD法制备的掺硼氢化非晶硅薄膜,其电阻值随测试时间呈现上升趋势,经XPS分析发现薄膜中存在氧化现象。光照条件下,样品光电阻上升幅度增加,长时间的光照会导致SW效应出现,分析表明光照会引起材料中弱Si-Si键的断裂,导致悬挂键缺陷态产生。掺硼氢化非晶硅的电阻在退火前后均呈现波动现象,是由于随机电报噪声的存在。通过对样品在真空中和空气中电阻测量,证实在真空中材料焦耳热作用更显著,另外空气的对流也对材料温度变化产生影响。参考文献:SpearWE,LeberPG.Substitutionaldopingofamorphoussilicon.SolidStatemunication,,():.KellyMJ.Modelamorphoussemiconductorstructures:tightbindingsbandelectronicstructure.J.NoncrystallineSolids,,():.ChingWY,Lin,GuttmanL.Structuraldisorderandelectronicpropertiesofamorphoussilicon.Phys.Rev.B,,:.BudianuE,PuricaM.Opticalimprovedstructureofpolycrystallinesiliconbasedthinfilmsolarcell.SolarEnergyMaterialsandSolarCells,,():.TsudaS,SakaiS,NakanoS.RecentprogressinaSisolarcells.Appl.SurfaceScience,,:.WoditschP,KochW.SolargradesiliconfeedstocksupplyforPVindustry.SolarEnergyMaterialsandSolarCell,,():.PerP,FelderR.Optimizationofamorphoussiliconsolarcellsonpolymerfilmsubstrates.thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConference,Spain:Barcelona,:.张春红,张志谦,曹海琳,等.聚酰亚胺/纳米SiO杂化膜的制备和表征.材料科学与工艺,,():..北京:科学出版社,...北京:高等教育出版社,..作者简介:杨利霞(-),女,硕士研究生,研究方向为光电传感器用硅基薄膜敏感材料。Email:(上接第页)合金温度优化表明℃合金退火下所获得的p型欧姆接触性能最好,比接触电阻为.×-Ω·cm。IV特性显示,器件正向开启电压为.V左右,反向击穿电压为V;在-V偏压下,暗电流为.×-A;样品在nm下的最大响应度为.A/W,量子效率为%,显示出了良好的器件特性。参考文献:LittonCW,SchreiberPJ,SmithGA,etal.DesignrequirementsforhighsensivityUVsolarblindimagingdetectorsbasedonAlGaN/GaNphotodetectorarrays:Areview.Proc.SPIE,,:.LevinshteinME,RumyantsevSL.先进半导体材料性能与手册.北京:化学工业出版社,.McIntoshFG,BoutrosKS,RobertsJC,etal.GrowthandcharacterizationofAlInGaNquaternaryalloys.Appl.Phys.Lett.,,():.AumerME,LeBoeufSF,MclntoshFG,etal.HighopticalqualityAlInGaNbymetalanihemicalvapordeposition.Appl.Phys.Lett.,,:.作者简介:黄瑾(-),女,福建人,硕士研究生,主要从事GaN基材料和器件的研究。Email:··SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSVol.No.Oct.

　　⑸在EXCEl中阴阳历生日转换及提醒一个阳历转阴历的自定义函数：PublicFunctionNongLi(OptionalXX_DATEAsDate)DimMonthAdd(),NongliData(),TianGan(),DiZhi(),ShuXiang(),DayName(),MonName()DimcurTime,curYear,curMonth,curDayDimGongliStr,NongliStr,NongliDayStrDimi,m,n,k,isEnd,bit,TheDate’获取当前系统时间curTime=XX_DATE’天干名称TianGan()=甲TianGan()=乙TianGan()=丙TianGan()=丁TianGan()=戊TianGan()=己TianGan()=庚TianGan()=辛TianGan()=壬TianGan()=癸’地支名称DiZhi()=子DiZhi()=丑DiZhi()=寅DiZhi()=卯DiZhi()=辰DiZhi()=巳DiZhi()=午DiZhi()=未DiZhi()=申DiZhi()=酉DiZhi()=戌DiZhi()=亥’属相名称ShuXiang()=鼠ShuXiang()=牛ShuXiang()=虎ShuXiang()=兔ShuXiang()=龙ShuXiang()=蛇ShuXiang()=马ShuXiang()=羊ShuXiang()=猴ShuXiang()=鸡ShuXiang()=狗ShuXiang()=猪’农历日期名DayName()=*DayName()=初一DayName()=初二DayName()=初三DayName()=初四DayName()=初五DayName()=初六&q......》》阴历、阳历生日转换？？？农历年二月十二日＝阳历年月日双鱼座月日-月日双鱼座的人，内向害羞，有着浓厚的艺术气息。柔情似水，浪漫多情，天真烂漫，会有许多梦幻般的想法，只是有时显得不切实际。阳历生日转换阴历生日如果他今年月号过的是阳历生日，那就说明他是年月号出生的；年月号那天的阴历日期是六月十二；今年的阴历六月十二那天的阳历日期是年月日；今年他的阴历阳历生日仅差一天。公历：年月日星期日巨蟹座农历：乙亥年六月十二干支：乙亥癸未辛丑信息来源：华中农历网公历：年月日星期二巨蟹座农历：甲午年六月十二干支：甲午辛未庚辰信息来源：华中农历网想知道农历生日如何转换成公历生日？年农历月日生日公历是年月日，星座是天秤座（月日―月日公历年月日，农历是年月日，星座是处女座（月日―月日星座是按照公历来计算的怎么把阳历生日转化为阴历生日？随便哪种万年历都有阴阳历转化的功能。你把年、月、日报一下，我能帮你。农历生日换算成公历生日从你提问看，你还不清楚阳历和阴历是怎么回事。阳历也叫公历就是年月日或是说年月日等，这个叫法就是公历（阳历。农历（阴历叫丙寅年几月初几，或是几月十几日，或是丁卯年等等，农历（阴历讲究属性，属虎、属兔等。你身份证日期一般来讲是阳历生日，阳历生日是固定不变的。阴历是从最早天干地支的甲子年（第一年开始算起的（第二年乙丑年、第三年丙寅年......推下去无穷循环，年一轮回（转一圈再回到甲子年。所以，每年你的农历生日都在变。你可以参照下面的日期推算你的星座。但是一定要弄清楚你的公历（阳历生日。白羊座月日-月日，金牛座月日-月日，双子座月日-月日，巨蟹座月日-月日，狮子座月日-月日，处女座月日-月日，天枰座月日-月日，天蝎座月日-月日，射手座月日-月日，摩羯座月日-月日，水瓶座月日-月日，双鱼座月日-月日。农历的农历的生日怎么转成阳历打开日历，转到你农历生日附近的日期，下面小字是农历大字是对应的阳历，找到你的阴历生日，对应的就是阳历生日。一般阳历比阴历日期早一个月左右。多少年能阴阳历同一天过生日?年阴历中每月的天数，是根据月亮运动周期来确立的，实际上每月的平均天数是.日，如果乘以，一年只有.天；而地球绕着太阳公转一个周期（回归年、阳历年是.天，这样阴历年年的实际天数比阳历年少了.天，差不多是天，年就少了天。天除以是.,也就是说，在年中，阴历年比阳历年少了差不多个月的时间。为使农历和阳历相差不太多，就必须把这个月补上。中国的农历实际上是一种典型的阴阳历―――是兼顾月亮绕地球的运动周期和地球绕太阳的运动周期而制定的―――是阴历与阳历相结合的历法，为了补上这个月时间，人们采取在农历设置闰月的方法―――十九年七闰，即在农历十九年中，个为平年，每平年个月；再加个闰年(分别为第、、、、、、年)，每闰年有个月。这样，个阳历年的日数和个农历年的日数差不多相等，因此，每逢或倍岁数生辰的时候，阳历生日和阴历生日就有机会在同一天出现了。

　　⑹谁能告诉我一些韩国人的常用语啊

　　⑺???!过来！.??!赶紧的！.??????!就这么办吧！.???!可能是吧！.???????!将就一下吧！.??!试试吧！.?????!胡说八道！.???????!多此一举！.????????!有什么了不起的！.???????!那又怎么样？.??!那是！.??????!可不是嘛！.???????!时间不早了！.????.出事儿了！.?????!是这么回事。.???????.你说的太对了！.?????.请相信我！.????????????.想想办法吧！.???!瞎胡闹！.???????!真荒唐！.?????.真黑！.?????!真无聊！.??????!真没意思！.??!行（好吧！.???!我也是！.??????.别拿我开心！.????!怎么搞的？.??????!太夸张了吧！.????!没办法。.?????!没辙！.??????.让我想想。.??????.我请客。.???????.就指望你了。.?????!臭死了！.?????!别神气了！.????????!我也是这么想的。.????????!我想是吧。.??????!哪儿的话！.????!加把劲儿！.?????.一切都会好的。.?????.别犹豫了。.????!该你了。.???!该走了。.?????.胡扯！.????!话不能这么说。（翻译成不像话是不是好点~.????.让我来。.?????????.饶了我吧！.?????.开始吧。.??!干杯！.?????.您先请！.?????????。让您久等了！.?????.真抱歉。.????????.说的是啊！.?????!谁说不是啊？.???!天啊！.?!哇塞!.???!使劲儿！????!振作点儿！.?????!你敢！.???????.你会后悔的。.?????.帮个忙吧！.?????.拜托啦！.?????????.对不起，失陪了！.???????????.真过意不去。.?????????.瞎掰！.?????????.休想！.???????.真讨厌！.???????!我受够了。.?!好说，好说。.??????!好主意。.?????????这叫什么事啊？.???????????.真是没事儿找事儿。.???!怪不得呢！.?????????!简直难以想象！.??!求你了！.?????????!等等我！.?????.有道理！.????????.我也这么觉得。.?????!真要命！.???????!真扫兴！.?????.你表现的不错！.???!打起精神来！.???????????.我不是故意的。.??????.您别介意！.???????????.真跌份儿。.?????????.真掉价儿。.?????.慢慢儿来。.?????????.好事多磨嘛！.????.别见外。.????.应该的。.??????.不会吧！.????????.怎么能这样！.???真的吗？.?????????怎么可能呢？.?????.让您受罪了。.?????????.给您添麻烦了。.???!哎呀！.?!好家伙！.?????????.不出我所料！.???????.打扰了！

　　⑻拳皇怎么选出最终BOOS

　　⑼KOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器柴周，路卡尔:在选人画面下会有yes或no,请选yes然后按住Start不放按然后依序输入上+B,右+C,左+A,下+D然后Start和下D一起放开类别:SS在选人画面下会有yes或no,请选yes然后按住Start不放按然后依序输入上+Y，右+A，左+X，下+B然后Start和下B一起放开类别PS在选人画面下会有yes或no,请选yes然后按住Start不放按然后依序输入上+○，右+□，左+X，下+△然后Start和下△一起放开KOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器神乐，杰尼兹:在选人画面下按住Start不放按然后依序输入上+B，右+C，左+A，下+D然后Start和下D一起放开(同KOF)类别:SS神乐，杰尼兹:在选人画面下按住Start不放按然后依序输入上+Y，右+A，左+X，下+B然后Start和下B一起放开(同KOF)类别PS神乐，杰尼兹:在选人画面下按住Start不放按然后依序输入上+○，右+□，左+X，下+△然后Start和下△一起放开(同KOF)KOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器草剃京:在选人画面移到草剃京那里，按住Start，然后按下A或D选人疯狂八神庵:在选人画面按住Start输入左右左右左右左右+A和C疯狂雷欧那:在选人画面按住Start输入上下上下上下上下+B和D地狱三天王:在选人画面按住Start输入上左下右上下+B和C类别PS使用疯狂八神庵，疯狂雷欧那，地狱三天王在选人画面下按R+L,然后按R+L使用BOSS-大蛇将疯狂八神庵，疯狂雷欧那，地狱三天王都较出来后在选人画面下按R+L,然后按R+L(限VS模式及练习模式)KOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器隐藏人物共有位(NG家用版位)，分别是：草剃京，’阪崎良，’萝柏特，’阪崎百合，RB泰瑞，RB安迪，RB东丈，RB不知火舞，RB比利，大地七枷社，荒电雪露咪，火焰克里斯，(NG家用版增加最终Boss路卡尔)使用方法，只要在选人画面中在原来人物上按着Start去选人就可以了(其中大地七枷社，荒电雪露咪，火焰克里斯和Omega路卡尔在按着Start后人物头像会改变)类别PS在上述的人物上按着R选择，包括BOSSKOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器要叫出隐藏人物之前一定要注意游戏LOGO画面，有出现〈K-I〉的才可叫出真-草剃京&八神庵。出现方法:真-草剃京:用“问号“选四个人破关,赢CPU五打以上。四个人里要有个“关联角色“京的关联角色:K’，麦克斯，二阶堂红丸，矢吹真吾，微璞，草剃京-，草剃京-八神庵:用“问号“选四个人破关,赢CPU五打以上。四个人里要有个“关联角色“庵的关联角色:雷欧娜，雅典娜，包，李香绯，藤堂香澄，金卡法，姜峰隐藏人物迁出法真-草剃京:移到“问号“按住Start输入←→↑←↓→八神庵:移到“问号“按住Start输入→←↑→↓←类别PS适用BOSS先把游戏破湍后存盘然后在VS模式或练习模式中按住START输入○，X，□，△成功后BOSS的头项会出现在问号下方KOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器冰女库拉:在选人画面输入下列指令....移到微璞按住Start一下移到拜莉莎按住Start一下移到塞斯按住Start一下移到麦克斯按住Start一下移到K’住Start一下移到“问号“按住Start一下之后输入上下，库拉会出现在问号下方隐藏援助:八神庵----风衣八神庵草剃京----草剃柴周藤堂香澄----藤堂白龙库拉----路卡尔拉蒙----NEO&GEO陈可汉----瘦身陈可汉邱风凯----增高邱风凯板崎良----G-MANTLE使用方法:选择以上左边人物当作援助，在选则援助时把光标移到另一只援助身上输入上左左左右右右下类别DC限练习模式...在排人物顺序时按↑+Y....输入成功时会有音效....(魔王不能当援助也不能呼叫援助)类别PS魔王使用方法...........打PARTYMODE等’BOSS助攻出来后《打赢场》在选人时按↑+○或↑+△听到音效就可以,可在V.S.模式中使用......PARTYMODE让所有ㄉ助攻都先出来,打到OROCHI《’BOSS》ㄉ助攻以后再打场即可,开始打以后,画面右上方ㄉ地方有个计算打赢几场ㄉ计数器,打到一定场数后就可以使用......KOF类别DC只要把队伍破关模式和个人破关模式破关后.....会新增挑战模式和方块模式.........方块模式破关后将开启美术馆模式.......再把队伍破关模式把每一位角色打破关后则可开启每一位角色图档.......魔王使用方法..........挑战模式打倒人以上.就可在vs模式.练习模式和挑战模式上使用...在问号右边点选.而终魔王IGNIZ出现法是使用ZERO玩挑战模式人以上.然后再ZERO右边点选......类别PS在第回合之前,每过回合就有一个隐藏要素.前回合是ZERO的名ST:GLUGAN(狮子),龙,KRIZALID,出现顺序我忘了,请玩家自己试试看.打出这只隐藏ST可用于其它人物上(不一定只有ZERO才能用),与AC版&DC版不同...第~回合是AC版场地取得,因为一开始玩家能选的场地都是ORIGINAL(改版场地?),能取得AC版的场地有:BRAZIL,CHINA,KOREA,JAPAN,USA,ITALY,MEXICO,ZERO,IGNIZ,共九种.第~回合全过,就可以在partymode以外的模式使用ZERO...第~回合全过,可以在partymode以外的模式使用IGNIZ...KOF类别:大型街机，NG家用卡，模拟器草剃:选人画面下光标停在草剃京的头像上输入上下右左下上左右成功后草剃京的头会变成草剃的头啰...变身大蛇队:选人画面下光标停在大蛇队其中一只的头像上按Start选人即可类别DC.把TEAMPLAY破一遍开放CHALLENGE的TEAMATTACT.把SINGLEPLAY破一遍开放CHALLENGE的SINGLEATTACT.把CHALLENGE的SINGLEATTACT打到第位(RUGAL)打赢就可以使用真吾.把CHALLENGE的TIMEATTACT打赢LEVEL过关可以使用KUSANAGI(草剃京),打赢LEVEL可以使用KING(金).把CHALLENGE的TEAMATTACT破RUGAL打赢RUGAL就可以使用类别PS隐藏人物使用方法草剃在草剃京的头像上按住R觉醒大蛇队在大蛇队的头像上按住R真吾:TeamAttack把路卡尔打倒之后就会出现King:SingleAttack也是把路卡尔打倒之后输了会出现以下三个把TimeAttack过了就会出现八神(暴走):在八神选项肯尼兹:Level在路卡尔的选项R基斯:Level在比利的选项KOF类别:大型电玩街机，NG家用大卡，仿真器KUSANAGI草剃↓↙←↖←↙↓↘→↗+任一钮神乐?千鹤↑↖←↙↓↘→↗→↘↓↙+任一钮要点:.输入指令时间不需快，但所有指令必须输入确实.输入时不需按start.当输入到最后一个指令时摇杆必须停住按任意键选择.Playerselect里任何地方都能输入指令KOFNEOWAVE类别:大型电玩街机变身大蛇队:选人画面下光标停在大蛇队其中一只的头像上按Start选人即可使用金卡法选人画面下光标停在姜风的头像上按Start选人即可使用拜丽莎选人画面下光标停在微谱的头像上按Start选人即可使用罗门选人画面下光标停在麦克斯的头像上按Start选人即可KOFR-类别:NGPC完成『K.O.F.Mode』一次后，再次进行游戏时，出现乱入隐藏角色击倒乱入隐藏角色及完成游戏自由选择该乱入隐藏角色使用隐藏角色包括：’草剃京，里TerryBogard，里阪崎獠，里?不知火舞，里阪崎由里，干枯大地之七枷社，荒狂电光之Shermie，控火之Chris，及最终BossOmegaRugalKOF京类别S使用隐藏角色方法:山崎龙二京到达第六级在选人画面指向山崎龙二，然后按着L来选择八神庵京到达第七级在选人画面指向八神庵，然后按着L来选择NewFaceTeam队员京到达第八级在选人画面指向任一NewFaceTeam队员，然后按着L来选择草剃苍司完成日本篇在选人画面指向草剃京，然后按着L来选择千堂家族人物完成美国篇在选人画面指向龙虎队队员，然后按着R来选择草剃柴舟取得『草剃家继承人』称号在选人画面指向草剃京，然后按着R来选择真NewFaceTeam队员取得『草剃家继承人』称号在选人画面指向任一NewFaceTeam队员，然后按着R和R来选择疯狂八神庵京达到第十级且取得『草剃家继承人』称号在选人画面指向八神庵，然后按着L、R来选择大蛇(Orochi)京达到第十级且取得『草剃家继承人』称号在选人画面指向Chris，然后按着R、R、L、L四键来选择

　　⑽可以告诉我世界强企业有那些吗谢谢

　　⑾前一百强Wal-MartStores沃尔玛美国一般商品零售.BP英国石油英国炼油.ExxonMobil埃克森美孚美国炼油.RoyalDutch/ShellGroup壳牌石油英国/荷兰炼油.GeneralMotors通用汽车美国汽车与零件.FordMotor福特汽车美国汽车与零件.DaimlerChrysler戴姆勒克莱斯勒德国汽车与零件.ToyotaMotor丰田汽车日本汽车与零件.GeneralElectric通用电气美国多元化公司.Total道达尔法国炼油.Allianz安联德国财产意外保险.ChevronTexaco雪佛龙德士古美国炼油.AXA安盛法国人寿健康保险.ConocoPhillips康菲美国炼油.Volkswagen大众汽车德国汽车与零件.NipponTelegraph&Telephone日本电报电话日本电信.INGGroup荷兰国际集团荷兰人寿健康保险.Citigroup花旗集团美国商业与储蓄银行.Intl.BusinessMachines国际商用机器美国计算机办公设备.AmericanIntl.Group美国国际集团美国财产意外保险.Siemens西门子德国电子、电气设备.Carrefour家乐福法国食品、药品店.Hitachi日立日本电子、电气设备.Hewlett-Packard惠普美国计算机办公设备.HondaMotor本田汽车日本汽车与零件.McKesson麦克森美国保健品批发.U.S.PostalService美国邮政美国邮递包裹货运.Verizonmunications弗莱森电讯美国电信.AssicurazioniGenerali忠利保险意大利人寿健康保险.Sony索尼日本电子、电气设备.MatsushitaElectricIndustrial松下电器日本电子、电气设备.NissanMotor日产汽车日本汽车与零件.Nestle雀巢瑞士食品.HomeDepot家居百货美国专业零售.BerkshireHathaway伯克希尔哈撒韦美国财产意外保险.NipponLifeInsurance日本生命日本人寿健康保险.RoyalAhold皇家阿霍德荷兰食品、药品店.DeutscheTelekom德国电信德国电信.Peugeot标致法国汽车与零件.AltriaGroup阿尔特里亚美国烟草.Metro麦德龙德国食品、药品店.Aviva阿维瓦英国人寿健康保险.ENI埃尼意大利炼油.MunichReGroup慕尼黑再保险德国财产意外保险.CreditSuisse瑞士信贷瑞士商业与储蓄银行.StateGrid国家电网中国电力.HSBCHolding汇丰控股英国商业与储蓄银行.BNPParibas法国巴黎银行法国商业与储蓄银行.Vodafone沃达丰英国电信.CardinalHealth卡地纳健康美国保健品批发.Fortis富通比利时/荷兰商业与储蓄银行.ChinaNationalPetroleum中国石油天然气中国炼油.StateFarmInsurance州立农业保险美国财产意外保险.Sinopec中国石化中国炼油.SamsungElectronics三星电子韩国电子、电器设备.Kroger克罗格美国食品、药品店.FannieMae房利美美国多元化金融.Fiat菲亚特意大利汽车与零件.FranceTélé法国电信法国电信.Tesco特易购英国食品、药品店.ZurichFinancialServices苏黎世金融瑞士财产意外保险.ElectriciteDeFrance法国电力法国天然气与电力.Boeing波音美国航天国防.AmerisourceBergen美国人伯根美国保健品批发.Toshiba东芝日本电子、电器设备.Pemex墨西哥石油墨西哥原油生产.E.ON欧翁德国贸易.DeutscheBank德意志银行德国商业与储蓄银行.Rwe莱茵集团德国能源.Unilever联合利华英国/荷兰食品.Target塔吉特美国一般商品零售.BankofAmericaCorp.美国银行美国商业与储蓄银行.UBS瑞士银行集团瑞士商业与储蓄银行.BMW宝马德国汽车与零件.DeutschePost德国邮政德国邮递包裹货运.PDVSA委内瑞拉国家石油委内瑞拉炼油.Pfizer辉瑞美国制药.CréditAgricole农业信贷银行法国商业与储蓄银行.Dai-ichiMutualLifeInsurance第一生命日本人寿健康保险.Suez苏伊士里昂水务法国能源.J.P.ManChase摩根大通美国商业与储蓄银行.MeijiLifeInsurance明治生命日本人寿健康保险.AOLTimeWarner美国在线时代华纳美国娱乐.RoyalBankofScotland苏格兰皇家银行英国商业与储蓄银行.NEC日本电气公司日本电子、电器设备.Procter&Gamble宝洁美国家居个人用品.TokyoElectricPower东京电力日本天然气与电力.CostcoWholesale好市多美国专业零售.Renault雷诺法国汽车与零件.Fujitsu富士通日本计算机办公设备.RepsolYPF雷普索尔YPF西班牙炼油.Johnson&Johnson强生美国制药.Dell戴尔美国计算机办公设备.RobertBosch博世德国汽车与零件.SearsRoebuck西尔斯罗巴克美国一般商品零售.SBommunications西南贝尔电讯美国电信.ThyssenKrupp蒂森克虏伯德国工业农业设备.HyundaiMotor现代汽车韩国汽车与零件.ValeroEnergy瓦莱罗能源美国炼油.BASF巴斯夫德国化学品.

　　⑿世界上最难写的字，世界上最难写的是什么字

　　⒀提起世界上最难写的字，大家都知道，有人问世界上最难写的是什么字，另外，还有人想问世界上最难写的字是什么字，你知道这是怎么回事？其实世界上最难写的字是什么？下面就一起来看看世界上最难写的是什么字，希望能够帮助到大家！

　　⒁世界上最难写的字:世界上最难写的是什么字

　　⒂这个号称地球上最难写的字，读“biang”，第二声，是西安的一种美食——biangbiang面。

　　⒃跟我学习硬笔书法的孩子们，都对这个神奇的“biang”字十分敬仰，我偶尔也会让他们到小黑板上去写着玩，看谁写得好。

　　⒄能把这个“biang”字写得比较好看的时候，就说明你对字的“结构”已经具备很好的“感觉”了。

　　⒅“感觉”是个很神奇的东西，学外语需要练出很好的“语感”；学打球需要练出很好的“球感”……于是我也把写字的这种感觉称为“字感”。

　　⒆“字感”对学写字的人有什么用？

　　⒇用处太大了，中国汉字光常用字就有个，挨个去把他们练好，花费的时间、精力都是巨大的。

　　⒈所以，通常我们都会遵循“笔画——偏旁部首——结构——整体效果”的方式来进行练字。练出来的是什么？练出来的其实就是一种写字的“字感”。画的字图片。

　　⒉“字感”练好了，完全不需要把所有汉字都去学、去练一遍，照样能写好绝大部分汉字。

　　⒊“字感”可以引导我们，哪怕是去写一个从来没有写过的字，一个很生僻的字，甚至一个凭空新造出来的字，也能把他写得好看。世界上最难写的字是啥字。

　　⒋而硬笔书的“字感”，主要体现在这两点上：

　　⒌世界上最难写的字是什么？

　　⒍均匀，如何理解？世界上最难写的字画。

　　⒎写一个字，它所有笔画的布置，基本上都是均匀分布的。

　　⒏如果某个地方很多笔画挤成一团，而某个地方的笔画又很松散，显出大量空白，那这样的字肯定显得难看。

　　⒐“biang”这个字，笔画共有多画。单字ID繁体。

　　⒑“字感”良好的人，从开始写前几个笔画的时候，心里就已经做好了对全局的预判了。超难单字id。

　　⒒“穴宝盖”写多大，下面的“言”字横写多长，几横之间的距离如何安排等，都会顺着自己对“均匀”的预判而自然进行……繁体字biang复制。

　　⒓而字感不好的人，只能一个笔画、一个笔画，或者一个偏旁、一个偏旁地“死磕”。写完之后发现，所有部分都写出来了，虽没什么错误，但是组合在一起就是七扭八歪的，很难看。画的字。

　　⒔做好“均匀”的诀窍，就是注意好笔画的“距离分布”和“角度分布”。

　　⒕世界上最难写的字:世界上最难写的字是什么字

　　⒖龖吧，或靐龘和龖读音相同

　　⒗世界上最难写的字:世界上最难写的字是什么？

　　⒘纛huang最难写的汉字。

　　⒙囃世界上最难写的一个汉字。

　　⒚纛%人都不认识的字。

　　⒛纛：古代用毛羽做的舞具或帝王车舆上的饰物。中国最吓人的字。

　　亹：非通用字。有两个读音：wěi、mén，本意指勤勉的样子，又指向前移动，读wěi；又指峡中两岸对峙如门的地方，读mén。

　　古通“粢”，稷，谷物。

　　龘：形容群龙腾飞的样子。《玉篇》音沓。龙行龘龘也。本义为飞的样子，古同“龖”，龖之赫，霆之砉（砉，象声词，形容迅速动作的声音。

　　鬮：为赌胜负或决定事情而抓取的做有记号的纸团或纸卷：抓阄。

　　酒味浓烈。、因饮食过度而呕吐。笔画最怪异的字亿画。

　　癳：古同“瘰”。例如：婢婢佯与结欢，遣使犒师，既癳重币，又饵甘言。

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　　转氨酶是人体代谢过程中必不可少的“催化剂”，主要存在于肝细胞内。当肝细胞发生炎症、坏死、中毒等，造成肝细胞受损时，转氨酶便会释放到血液里，使血清转氨酶升高。通常，体检中主要检查的转氨酶是丙氨酸转氨酶(ALT)。%的肝脏细胞损害，可以使血中ALT的浓度增加倍。因此，ALT水平可以比较敏感地监测到肝脏是否受到损害。转氨酶水平在—之间是正常的。如果超出正常范围，医生会建议再查一次，排除由于实验室设备故障和操作错误等因素造成误差的可能。如果转氨酶水平还高，多半是由病毒性肝炎或其他肝病所致。但要确定是不是病毒性肝炎，还需要做其他检查，结合病史、症状、体征等全面分析。即使确认是病毒性肝炎，也不能简单地以ALT升高的程度来判断病情，因为对于重型肝炎，可能由于存活的肝细胞比较少，释放到血液中的转氨酶很少，ALT反而随病情的恶化而降低。转氨酶高不都是肝炎ALT的升高只表示肝脏可能受到了损害。除了肝炎，其他很多疾病都能引起转氨酶增高。王教授指出，主要还有以下情况：首先，人体内许多组织都含有转氨酶，比如心肌炎和心肌梗死都可能使天冬氨酸转氨酶升高。其次，如果有胆结石等胆道梗阻性疾病，可能因为淤胆而使血中转氨酶水平升高。此外，对于一些看起来没什么大病的人来说，还有可能因为长期酗酒导致酒精肝，或饮食结构不合理导致脂肪肝，造成转氨酶高。劳累也可能让转氨酶升高对于健康人来说，转氨酶水平在正常范围内升高或降低，并不意味着肝脏出了问题，因为转氨酶非常敏感，健康人在一天之内的不同时间检查，转氨酶水平都有可能产生波动。另外，健康人的转氨酶水平也有可能暂时超出正常范围。剧烈运动、过于劳累或者近期吃过油腻食物，都可能使转氨酶暂时偏高。如果在检查转氨酶前一晚加班工作，没睡好觉，或是体检前早餐时吃了油炸的东西，检查结果可能就会超出正常范围。一个人刚刚在操场上跑了几圈，就立刻检查他的转氨酶水平，结果也可能会高出正常范围。如果是由于这些情况导致转氨酶升高，只要好好休息，过一段时间后再做检查，就会发现转氨酶水平恢复正常了。还有一种会造成转氨酶升高的情况是生病时吃了会损伤肝脏的药物，比如红霉素、四环素、安眠药、解热镇痛药、避孕药，还有半夏、槟榔、青黛等中药。在停用这些药物后，转氨酶水平会很快恢复正常。如何降下来：回忆一下你最近身体有不舒服的表现吗？如果没有的话，可不必着急，因为单纯的转氨酶升高是不能定性的。可以休息一段时间后，再去化验一下肝功，转氨酶还是有点高的话，就可以按以下方案治疗。肝太乐片；每日三次、每次二片；维生素C片，每日三次、每次二片；以及护肝片（葵花牌的较好，等等。至于要服用的保护肝脏的药物，去医院看医生时，就会交代清楚的。参考资料：